LED芯片

LED Light Emitting Diode(发光二极管)的缩写。是一种固态的半导体器件LED芯片，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。

什么是led芯片

也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。

led芯片的分类

　　[1]　用途：根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种；

　　颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；

　　形状：一般分为方片、圆片两种；

大小：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等

如何评判led芯片：

　　led芯片的价格：一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，进口的要高于国产的，进口的来源价格从日本、美国、台湾依次减低。

　　led芯片的质量：评价led芯片的质量主要从裸晶亮度、衰减度两个主要标准来衡量，在封装过程中主要从led芯片封装的成品率来计算。

　　我们使用的led芯片：

　　红灯：9mil正规方片，（纯红）波长：620-625nm，上下60°、左右120°，亮度高达1000-1200mcd；

　　绿灯：12mil正规方片，（纯绿）波长：520-525nm，上下60°、左右120°，亮度高达2000-3000mcd；

性能：具有亮度高、抗静电能力强、抗衰减能力强、一致性好等特点，是制作led招牌、led发光字的选择。

LED的重要参数释疑：

　　1.正向工作电流If：

　　它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

　　2.正向工作电压VF：

　　参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。

　　3.V-I特性：

　　发光二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。

　　4.发光强度IV：

　　发光二极体的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。

　　5.LED的发光角度：

　　-90°- +90°

　　6.光谱半宽度Δλ:

　　它表示发光管的光谱纯度。

　　7.半值角θ1/2和视角：

　　θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。

　　8.全形：

　　根据LED发光立体角换算出的角度，也叫平面角。

　　9.视角：

　　指LED发光的角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。

　　10.半形：

　　法向0°与发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是发光强度值与发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。

　　11.正向直流电流IFm：

　　允许加的的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。

　　12.反向电压VRm：

　　所允许加的反向电压。超过此值，发光二极体可能被击穿损坏。

　　13.工作环境topm:

　　发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极体将不能正常工作，效率大大降低。

　　14.允许功耗Pm:

　　允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的值。超过此值，LED发热、损坏。